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MEMS 64x64 光開關(guān)矩陣基于MEMS技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)M路單輸入光纖與N路輸出光纖之間的通道選擇。
特性
n 小尺寸（Compact size）
n 高重復(fù)性與穩(wěn)定性
n 支持TTL與I2C控制接口
n 符合GR-1073和GR-1221標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用領(lǐng)域
n 光纖監(jiān)測(cè)
n 數(shù)據(jù)中心
n 光纖傳感
規(guī)格：
參數(shù) | 單位 | 值 | ||||||
通道數(shù) | CH | 64×64 | ||||||
工作波長(zhǎng) | nm | 1310±40 or 1550±40 or 1625±30; 850 /1310±40 | ||||||
插入損耗(最大)1 3 4 | dB | (典型值) 1.5 , (最大值) 3.5 | ||||||
回波損耗 | dB | SM≥50;MM≥35 | ||||||
重復(fù)性2 | dB | 0.1dB 最大值 | ||||||
串?dāng)_ | dB | SM≥50;MM≥35 | ||||||
偏振相關(guān)損耗（PDL） | dB | ≤0.15 | ||||||
波長(zhǎng)相關(guān)損耗(WDL） | dB | ≤0.3@CWL±20nm,23℃ | ||||||
溫度相關(guān)損耗(TDL) | dB | <0.4dB | ||||||
工作溫度 | ℃ | -5~+70 | ||||||
存儲(chǔ)溫度 | ℃ | -40~+85 | ||||||
切換時(shí)間 | ms | ≤10 | ||||||
工作電壓 | V | 5 | ||||||
注釋:1.插入損耗（IL）在中心波長(zhǎng)（CWL）、23℃下測(cè)量。 2. 重復(fù)性定義為100次循環(huán)后的性能。 3. 插入損耗測(cè)試值不包含連接器，若包含連接器則增加0.2dB。 4. 若在雙CWL±20nm下測(cè)試，插入損耗增加0.3dB。 | ||||||||
尺寸說明:
模塊類型6 - 電子引腳定義
PHB-2*6P | |||
引腳號(hào) | 功能說明 | ||
1 | - | ||
2 | RS232_TX | 發(fā)送 | RS232 |
3 | RS232_RX | 接收 | |
4 | - | ||
5 | GND | 接地 |
Power DC5V/1.5A
|
6 | GND | 接地 | |
7 | VCC | +5V電源 | |
8 | VCC | +5V電源 | |
9 | VCC | +5V電源 | |
光路原理 ：
64x64開關(guān)矩陣由64個(gè)1×64 MEMS開關(guān)（輸入端口）和64個(gè)1×64 MEMS開關(guān)（輸出端口）組成。當(dāng)對(duì)輸入和輸出光開關(guān)施加特定電壓時(shí)，任意輸入通道可與任意輸出通道連接。光路切換原理如下圖所示：
訂購(gòu)信息: 型號(hào)：MSW-M×N-A-B-C-D-E-F-G（MSW：MEMS光開關(guān)）
ＭＸＮ | A | B | C | D | E | F | G |
端口 | 模式 | 波長(zhǎng) | 光纖參數(shù) | 長(zhǎng)度 | 連接器 | 接口 | 控制方式 |
Ｍ：2~256 Ｎ：2~256 | SM:9/125um M5:50/125um M6:62.5/125um M10:105/125um PM:PM Fiber | 85:850nm 13: 1310nm 14: 1490nm 15: 1550nm | 25:250um 90:900um | 05:0.5m 10:1.0m 12:1.2m | OO:None FP: FC/PC FA: FC/APC SP: SC/PC SA: SC/APC LP: LC/PC LA: LC/APC MPO | M1:PCB M2:39*24*13.5 M3:90*55*12 M4:100*100*12 M5:110*141*12 M6:300*250*40 | R2:TTL/RS232 R4:TTL/RS485 I2:TTL/I2C US:USB
|
備注：
以上規(guī)格為模塊典型性能，具體需求請(qǐng)聯(lián)系銷售團(tuán)隊(duì)。
支持定制化配置（如PM光纖、特殊波長(zhǎng)等）。
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